Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGIB10B60KD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT: 600 В, 10 А


IRGIB10B60KD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGIB10B60KD1

НаименованиеIRGIB10B60KD1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул151138
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRGIB10B60KD1, доступные на складе

  • Изображение  IRGIB10B60KD1P

    IRGIB10B60KD1P
    INFIN

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

  • Изображение  STGF14NC60KD

    STGF14NC60KD
    ST

    IGBT транзистор - Примечание: N-CHANNEL POWERMESH IGBT WITH DIODE

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
165,00 руб
от 9 шт. 144,00 руб
от 24 шт. 124,00 руб
от 50 шт. 113,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом