Терраэлектроника

IRGIB15B60KD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT: 600 В, 12 А


IRGIB15B60KD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGIB15B60KD1

НаименованиеIRGIB15B60KD1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул151131

Аналоги IRGIB15B60KD1, доступные на складе

  • Изображение  STGF14NC60KD

    STGF14NC60KD
    ST

    IGBT транзистор - Примечание: N-CHANNEL POWERMESH IGBT WITH DIODE

  • Изображение  IRGIB15B60KD1P

    IRGIB15B60KD1P
    INFIN

    IGBT, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:19A; Voltage, Vce Sat Max:2.2V; Power Dissipation:52W;…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
289,00 руб
от 5 шт. 252,50 руб
от 14 шт. 216,50 руб
от 30 шт. 199,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом