Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGIB15B60KD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT: 600 В, 12 А


IRGIB15B60KD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGIB15B60KD1

Наименование IRGIB15B60KD1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 151131
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRGIB15B60KD1, доступные на складе

  • Изображение  IRGIB15B60KD1P

    IRGIB15B60KD1P
    INFIN

    IGBT, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:19A; Voltage, Vce Sat Max:2.2V; Power Dissipation:52W;…

  • Изображение  STGF14NC60KD

    STGF14NC60KD
    ST

    IGBT транзистор - Примечание: N-CHANNEL POWERMESH IGBT WITH DIODE

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
251,00 руб
от 14 шт. 215,00 руб
от 30 шт. 198,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом