Терраэлектроника

DA112S1, ST Microelectronics

Защитная ИС - [SOIC-8-3.9]; Линий: 6; Uпорог: 18 В; Iутеч: 2 мкА; Примечание: DIODE ARRAY; Траб: -55...150 °C


DA112S1, ST Microelectronics

Параметры DA112S1

НаименованиеDA112S1
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул150948
Тмакс,°C
Тmin,°C
Пороговое напряжение
Кол-во защищаемых линий (каналов)
Корпус
Серия
Тип
Обратное напряжение Vrwm
Кол-во выводов

Аналоги DA112S1, доступные на складе

  • Изображение  DA112S1RL

    DA112S1RL
    ST

    Защитный диод - [SOIC-8-3.9]; Pрасс: 730 мВт; Uогр(ном): 12 В; Uимп(макс): 18 В; Iраб: 2 мкА; Iимп(макс): 12 А; Линий: 6

Изображения DA112S1

DA112S1, ST Microelectronics DA112S1, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
50,00 руб
от 29 шт. 43,50 руб
от 100 шт. 37,50 руб
от 200 шт. 34,50 руб
Наличие на складе
33 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом