Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

DA112S1, STMicroelectronics

Защитная ИС - [SOIC-8-3.9]; Линий: 6; Uпорог: 18 В; Iутеч: 2 мкА; Примечание: DIODE ARRAY; Траб: -55...150 °C


DA112S1, STMicroelectronics

Параметры DA112S1

Наименование DA112S1
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 150948
Корпус
Тип
Обратное напряжение Vrwm

Аналоги DA112S1, доступные на складе

  • Изображение  DA112S1RL

    DA112S1RL
    ST

    Защитный диод - [SOIC-8-3.9]; Pрасс: 730 мВт; Uогр(ном): 12 В; Uимп(макс): 18 В; Iраб: 2 мкА; Iимп(макс): 12 А; Линий: 6

Средства разработки для DA112S1

  • Изображение  ATSAMDA1-XPRO

    ATSAMDA1-XPRO
    MCRCH

    The SAM DA1 Xplained Pro evaluation kit is ideal for evaluating and prototyping with the SAM DA1 ARM® Cortex®-M0+ based microcontrollers. Extension boards to the SAM DA1 Xplained Pro can be purchased individually. The ATSAMDA1-XPRO evaluation kit

Изображения DA112S1

DA112S1, STMicroelectronics DA112S1, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
45,90 руб
от 30 шт. 40,20 руб
от 100 шт. 34,40 руб
от 200 шт. 31,60 руб
Наличие на складе
33 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом