Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6691TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, MT

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont32A
Resistance, Rds On1.8mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.5V
Case StyleMT
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ6580pF
Current, Idm Pulse260A
Marking, SMD6691
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ32ns
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max20V


Параметры IRF6691TR1

Наименование IRF6691TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150779
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Документация для IRF6691TR1

Аналоги IRF6691TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
160,00 руб
от 22 шт. 137,00 руб
от 47 шт. 126,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом