Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6691TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, MT

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont32A
Resistance, Rds On1.8mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.5V
Case StyleMT
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ6580pF
Current, Idm Pulse260A
Marking, SMD6691
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ32ns
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max20V


Параметры IRF6691TR1

НаименованиеIRF6691TR1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул150779
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Конфигурация и полярность
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса

Аналоги IRF6691TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
181,00 руб
от 8 шт. 159,00 руб
от 22 шт. 136,00 руб
от 47 шт. 125,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом