Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6623TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, ST

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont55A
Resistance, Rds On5.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.2V
Case StyleST
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ1360pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C12nC
Current, Idm Pulse120A
Depth, External4.85mm
IC Package (Case style)ST
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6623
Pins, No. of7
Power Dissipation2.1W
Power, Pd2.1W
Resistance, Rds on Max5.7mohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ20ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs Max20V
Voltage, Vgs th Max2V
Voltage, Vgs th Min1.3V
Width, External3.95mm


Параметры IRF6623TR1

Наименование IRF6623TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150770
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs

Документация для IRF6623TR1

Аналоги IRF6623TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
88,50 руб
от 39 шт. 75,50 руб
от 85 шт. 69,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом