Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6620TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont150A
Resistance, Rds On2.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.45V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ4130pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C13nC
Current, Idm Pulse220A
Depth, External6.35mm
IC Package (Case style)MX
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6620
Pins, No. of7
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Resistance, Rds on Max2.7mohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ23ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs Max20V
Voltage, Vgs th Max2.45V
Voltage, Vgs th Min1.55V
Width, External5.05mm


Параметры IRF6620TR1

Наименование IRF6620TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150766
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

Документация для IRF6620TR1

Аналоги IRF6620TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
118,00 руб
от 30 шт. 101,00 руб
от 64 шт. 92,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом