Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6617TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, ST

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont14A
Resistance, Rds On8.1mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.35V
Case StyleST
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ1300pF
Current, Idm Pulse120A
Marking, SMD6617
Power Dissipation2.1W
Power, Pd2.1W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ16ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V


Параметры IRF6617TR1

Наименование IRF6617TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150762
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Документация для IRF6617TR1

Аналоги IRF6617TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
71,50 руб
от 48 шт. 61,50 руб
от 105 шт. 56,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом