Терраэлектроника

IRF6617TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, ST

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont14A
Resistance, Rds On8.1mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.35V
Case StyleST
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ1300pF
Current, Idm Pulse120A
Marking, SMD6617
Power Dissipation2.1W
Power, Pd2.1W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ16ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V


Параметры IRF6617TR1

НаименованиеIRF6617TR1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул150762
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Корпус
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток

Аналоги IRF6617TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
87,00 руб
от 17 шт. 76,00 руб
от 48 шт. 65,50 руб
от 105 шт. 60,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом