Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6614TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, ST

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ40V
Current, Id Cont55A
Resistance, Rds On8.3mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleST
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ2560pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C5.5nC
Current, Idm Pulse102A
Depth, External4.85mm
IC Package (Case style)ST
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6614
Pins, No. of7
Power Dissipation2.1W
Power, Pd2.1W
Resistance, Rds on Max8.3mohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ15ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds40V
Voltage, Vds Max40V
Voltage, Vgs Max20V
Voltage, Vgs th Max2.25V
Voltage, Vgs th Min1.35V
Width, External3.95mm


Параметры IRF6614TR1

Наименование IRF6614TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150760
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

Документация для IRF6614TR1

Аналоги IRF6614TR1, доступные на складе

  • Изображение  IRF6614TRPBF

    IRF6614TRPBF
    INFIN

    40V-75V N-Channel Power MOSFET,

  • Изображение  IRF6614TR1PBF

    IRF6614TR1PBF
    INFIN

    MOSFET, N, DIRECTFET, 40V, ST; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:40V; Current, Id Cont:12.7A; Resistance, Rds On:5.9mohm;…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
146,00 руб
от 10 шт. 128,00 руб
от 28 шт. 109,00 руб
от 61 шт. 101,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом