Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6613TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, MT

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ40V
Current, Id Cont23A
Resistance, Rds On3.4mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.25V
Case StyleMT
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ5950pF
Current, Idm Pulse180A
Depth, External6.35mm
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6613
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ38ns
Voltage, Vds40V
Voltage, Vds Max40V
Width, External5.05mm


Параметры IRF6613TR1

Наименование IRF6613TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150757
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs

Документация для IRF6613TR1

Аналоги IRF6613TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
105,00 руб
от 33 шт. 89,50 руб
от 72 шт. 82,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом