Терраэлектроника

IRF6613TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, MT

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ40V
Current, Id Cont23A
Resistance, Rds On3.4mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.25V
Case StyleMT
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ5950pF
Current, Idm Pulse180A
Depth, External6.35mm
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6613
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ38ns
Voltage, Vds40V
Voltage, Vds Max40V
Width, External5.05mm


Параметры IRF6613TR1

НаименованиеIRF6613TR1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул150757
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность

Аналоги IRF6613TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
119,50 руб
от 12 шт. 104,50 руб
от 33 шт. 89,50 руб
от 72 шт. 82,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом