Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6612TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont24A
Resistance, Rds On3.3mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.25V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ3970pF
Current, Idm Pulse190A
Marking, SMD6612
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ19ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V


Параметры IRF6612TR1

Наименование IRF6612TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150755
Корпус
Рассеиваемая мощность
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF6612TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
102,00 руб
от 14 шт. 89,00 руб
от 41 шт. 76,00 руб
от 88 шт. 70,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом