Терраэлектроника

IRF6612TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont24A
Resistance, Rds On3.3mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.25V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ3970pF
Current, Idm Pulse190A
Marking, SMD6612
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ19ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V


Параметры IRF6612TR1

НаименованиеIRF6612TR1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул150755
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность

Аналоги IRF6612TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
97,50 руб
от 14 шт. 85,00 руб
от 41 шт. 73,00 руб
от 88 шт. 67,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом