Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6609TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, MT

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont150A
Resistance, Rds On2mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.45V
Case StyleMT
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ6290pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C26nC
Current, Idm Pulse250A
Depth, External6.35mm
IC Package (Case style)MT
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6609
Pins, No. of7
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Resistance, Rds on Max2.0mohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ32ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs Max20V
Voltage, Vgs th Max2.45V
Voltage, Vgs th Min1.55V
Width, External5.05mm


Параметры IRF6609TR1

Наименование IRF6609TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150753
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги IRF6609TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
174,00 руб
от 8 шт. 153,00 руб
от 24 шт. 131,00 руб
от 51 шт. 120,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом