Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6608TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, ST

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont55A
Resistance, Rds On9mohm
Case StyleST
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ2120pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C33nC
Current, Idm Pulse100A
Depth, External4.85mm
IC Package (Case style)ST
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6608
Pins, No. of7
Power Dissipation2.1W
Power, Pd2.1W
Resistance, Rds on Max9.0mohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ31ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs Max12V
Voltage, Vgs th Max3V
Voltage, Vgs th Min1V
Width, External3.95mm


Параметры IRF6608TR1

Наименование IRF6608TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150750
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)

Документация для IRF6608TR1

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
58,00 руб
от 24 шт. 50,50 руб
от 70 шт. 43,50 руб
от 151 шт. 40,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом