Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6607TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, MT

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont95A
Resistance, Rds On4.4mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2V
Case StyleMT
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ6930pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C54nC
Current, Idm Pulse220A
Depth, External6.35mm
IC Package (Case style)MT
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6607
Pins, No. of7
Power Dissipation2.3W
Power, Pd3.6W
Resistance, Rds on Max4.4mohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ46ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs Max12V
Voltage, Vgs th Max2V
Voltage, Vgs th Min1.3V
Width, External5.05mm


Параметры IRF6607TR1

Наименование IRF6607TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150749
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Документация для IRF6607TR1

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
115,00 руб
от 30 шт. 98,50 руб
от 66 шт. 90,00 руб
Наличие на складе
4 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом