Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6604TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, MQ

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont59A
Resistance, Rds On11.5mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement7V
Voltage, Vgs th Typ2.1V
Case StyleMQ
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ2270pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C28nC
Current, Idm Pulse92A
Depth, External6.35mm
IC Package (Case style)MQ
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6604
Pins, No. of7
Power Dissipation2.3W
Power, Pd2.3W
Resistance, Rds on Max11.5mohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ31ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs Max12V
Voltage, Vgs th Max3V
Voltage, Vgs th Min1V
Width, External5.05mm


Параметры IRF6604TR1

НаименованиеIRF6604TR1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул150748
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
78,50 руб
от 17 шт. 69,00 руб
от 50 шт. 59,00 руб
от 108 шт. 54,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом