Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6603TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, MT

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont92A
Resistance, Rds On3.4mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.5V
Case StyleMT
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ6590pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C60nC
Current, Idm Pulse200A
Depth, External6.35mm
IC Package (Case style)MT
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6603
Pins, No. of7
Power Dissipation3.6W
Power, Pd3.6W
Resistance, Rds on Max3.4mohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max125°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ45ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs Max20V
Voltage, Vgs th Max2.5V
Voltage, Vgs th Min1.4V
Width, External5.05mm


Параметры IRF6603TR1

Наименование IRF6603TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 150747
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Документация для IRF6603TR1

Аналоги IRF6603TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
97,00 руб
от 36 шт. 83,00 руб
от 77 шт. 76,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом