Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4IBC30W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220 FULLPAK

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max17A
Voltage, Vce Sat Max2.1V
Power Dissipation45W
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Icm Pulsed92A
Pins, No. of3
Power, Pd45W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall67ns
Time, Fall Typ67ns
Time, Rise16ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4IBC30W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4IBC30W

Наименование IRG4IBC30W
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 149904
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4IBC30W, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
211,00 руб
от 7 шт. 185,00 руб
от 20 шт. 159,00 руб
от 50 шт. 146,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом