Терраэлектроника

IRG4IBC30W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220 FULLPAK

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max17A
Voltage, Vce Sat Max2.1V
Power Dissipation45W
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Icm Pulsed92A
Pins, No. of3
Power, Pd45W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall67ns
Time, Fall Typ67ns
Time, Rise16ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4IBC30W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4IBC30W

НаименованиеIRG4IBC30W
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул149904
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4IBC30W, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
206,00 руб
от 7 шт. 180,00 руб
от 20 шт. 155,00 руб
от 50 шт. 142,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом