Терраэлектроника

IRG4PH50KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max45A
Voltage, Vce Sat Max2.77V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed90A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max300ns
Time, Rise100ns
Time, Short Circuit Withstand Min10чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH50KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH50KD

НаименованиеIRG4PH50KD
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул14838
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4PH50KD, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PH50KDPBF

    IRG4PH50KDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:45A; Voltage, Vce Sat Max:2.77V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:90A; Device Marking:IRG4PH50KDPBF; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4PH30KDPBF

    IRG4PH30KDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:20A; Voltage, Vce Sat Max:3.1V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-247; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:40A; Pins, No.…

Изображения IRG4PH50KD

IRG4PH50KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH50KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
583,00 руб
от 3 шт. 510,00 руб
от 8 шт. 437,50 руб
от 16 шт. 401,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом