Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STP55NF06, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 60 В
Iс(25°C) 50 А
Rси(вкл) 22 мОм
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 45 нКл


STP55NF06, STMicroelectronics

Параметры STP55NF06

Наименование STP55NF06
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 145833
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги STP55NF06, доступные на складе

  • Изображение  IRFB7546PBF

    IRFB7546PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessFully Char…

  • Изображение  IRFB7540PBF

    IRFB7540PBF
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessFully Char…

  • Изображение  IRFB7545PBF

    IRFB7545PBF
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessFully Char…

  • Изображение  IRFB7534PBF

    IRFB7534PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    StrongIRFET 60V

  • Изображение  IRFB7530PBF

    IRFB7530PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessFully Char…

  • Изображение  IRF1010EZPBF

    IRF1010EZPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    40V-75V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantIndustry-leading qualityFast Switching175°…

Показать все сопутствующие товары

Изображения STP55NF06

STP55NF06, STMicroelectronics STP55NF06, STMicroelectronics STP55NF06, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
23,60 руб
от 50 шт. 20,70 руб
от 150 шт. 17,70 руб
от 400 шт. 16,30 руб
Наличие на складе
11867 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом