Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SKM200GB126D, Semikron Inc.

IGBT MODULE, DUAL, 1200V

Transistor TypeIGBT Module
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max260A
Voltage, Vce Sat Max2.15V
Case StyleSEMITRANS 3
Termination TypeScrew
Centres, Fixing93mm
Current, Ic Continuous b Max190A
Current, Ic av260A
Current, Icm Pulsed200A
Depth, External61.4mm
Diameter, Fixing Hole5.4mm
Marking, SMDSEMITRANS 3
Power, Pd220W
Temperature, Current25°C
Time, Rise40ns
Transistors, No. of2
Voltage, Vceo1200V
Width, External105mm
Voltage1200V


SKM200GB126D, Semikron Inc.

Параметры SKM200GB126D

Наименование SKM200GB126D
Производитель Semikron Inc. (SMK)
Артикул 141916
Количество ключей
Ток
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Корпус
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)

Аналоги SKM200GB126D, доступные на складе

  • Изображение  FF200R12KE3HOSA1

    FF200R12KE3HOSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT Modules up to 1200V, Our well-known 62 mm 1200V dual IGBT modules with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency Diode a…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
7730,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом