Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STGB10NB37LZ, STMicroelectronics

IGBT транзистор - [TO-263-2]


STGB10NB37LZ, STMicroelectronics

Параметры STGB10NB37LZ

Наименование STGB10NB37LZ
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 141362
Корпус

Аналоги STGB10NB37LZ, доступные на складе

  • Изображение  IRGS14C40LPBF

    IRGS14C40LPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:400V; Current, Ic Continuous a Max:20A; Voltage, Vce Sat Max:1.4V; Power Dissipation:125W;…

  • Изображение  STGB10NB37LZ

    STGB10NB37LZ
    ST

    IGBT транзистор - [TO-263-2]; Uкэ.макс: 440 В; Iк@25°C: 20 А; Uкэ.нас: 1.2 В; tнар: 1.3 мкс; tспада: 3.6 нс

  • Изображение  NGB18N40ACLBT4G

    NGB18N40ACLBT4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    Ignition IGBT, N-Channel, 18 A, 400 V

  • Изображение  STGB10NB37LZT4

    STGB10NB37LZT4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    IGBT транзистор - [TO-263-2]; Uкэ.макс: 410 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.2 В; tнар: 1.3 мкс; tспада: 3.6 мкс

  • Изображение  IRGS14C40LTRL

    IRGS14C40LTRL
    INFIN

    IGBT-транзистор. 430V. 20A.

  • Изображение  IRGS14C40L

    IRGS14C40L
    INFIN

    IGBT, D2PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:20A; Voltage, Vce Sat Max:1.4V; Power Dissipation:125W; Case Style:TO-263;…

Показать все сопутствующие товары

Изображения STGB10NB37LZ

STGB10NB37LZ, STMicroelectronics STGB10NB37LZ, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом