Терраэлектроника

IRGP6660DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IRGP6660DPBF - биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast IGBT TO-247 от International Rectifier.

Технические характеристики:

  • Конфигурация: Single 
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V 
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V 
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V 
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 95 A 
  • Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
  • Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 95 A 
  • Рассеяние мощности: 330 W 
  • Максимальная рабочая температура: + 175 C 
  • Минимальная рабочая температура: - 40 C 
  • Корпус: TO-247AC-3 
  • Вид монтажа: Through Hole
  • RoHS: Соответствует RoHS

Параметры IRGP6660DPBF

НаименованиеIRGP6660DPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул1404576
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
389,50 руб
от 4 шт. 341,00 руб
от 11 шт. 292,50 руб
от 25 шт. 268,50 руб
Наличие на складе
7 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом