Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGP6660DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

IRGP6660DPBF - биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast IGBT TO-247 от International Rectifier.

Технические характеристики:

  • Конфигурация: Single 
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V 
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V 
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V 
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 95 A 
  • Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
  • Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 95 A 
  • Рассеяние мощности: 330 W 
  • Максимальная рабочая температура: + 175 C 
  • Минимальная рабочая температура: - 40 C 
  • Корпус: TO-247AC-3 
  • Вид монтажа: Through Hole
  • RoHS: Соответствует RoHS

Параметры IRGP6660DPBF

Наименование IRGP6660DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 1404576
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
345,00 руб
от 10 шт. 296,00 руб
от 25 шт. 271,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом