Терраэлектроника

IRGP6650DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IRGP6650DPBF - биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast IGBT TO-247 от International Rectifier.

Технические характеристики:

  • Конфигурация: Single 
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V 
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V 
  • Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V 
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 80 A 
  • Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA 
  • Рассеяние мощности: 306 W 
  • Максимальная рабочая температура: + 175 C
  • Минимальная рабочая температура: - 40 C  
  • Торговая марка: International Rectifier 
  • Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 80 A 
  • Корпус: TO-247AC-3 
  • Вид монтажа: Through Hole
  • RoHS: Соответствует RoHS

Параметры IRGP6650DPBF

НаименованиеIRGP6650DPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул1404575
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
144,50 руб
Наличие на складе
233 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом