Терраэлектроника

IRF7503, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, DUAL NN MICRO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityDual N
Current, Id Cont2.4A
Resistance, Rds On0.135ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Case StyleMicro8
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ210pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C48nC
Current, Idm Pulse14A
Depth, External5.03mm
Gfs, Min1.9A/V
Length / Height, External1.11mm
Marking, SMDF7503
Pins, No. of8
Pitch, Lead0.65mm
Pitch, Row4.24mm
Power Dissipation1.25W
Power, Pd1.25W
Resistance, Rds on Max0.135ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Time, trr Typ40ns
Transistors, No. of2
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Min1V
Width, External3.05mm
dv/dt5.0V/ns


IRF7503, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF7503

НаименованиеIRF7503
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул140372

Документация для IRF7503

Аналоги IRF7503, доступные на складе

  • Изображение  IRF7503TRPBF

    IRF7503TRPBF
    INFIN

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current, Id:2.4A; Package/Case:8-uSOIC; Power Dissipation, Pd:1.25W; Drain Source On Resistance @ 10V:135mohm

Изображения IRF7503

IRF7503, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7503, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7503, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом