Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

EPC8010ENGR, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 100V 3.4A (Ta).
Параметры:
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.354nC @ 50V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 47pF @ 50V

EPC8010ENGR, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC8010ENGR

Наименование EPC8010ENGR
Производитель Efficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул 1371552
Конфигурация и полярность

Средства разработки для EPC8010ENGR

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
2147,03 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом