Терраэлектроника

EPC8010ENGR, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 100V 3.4A (Ta).
Параметры:
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.354nC @ 50V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 47pF @ 50V

EPC8010ENGR, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC8010ENGR

НаименованиеEPC8010ENGR
ПроизводительEfficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул1371552

Средства разработки для EPC8010ENGR

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
2143,78 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом