Терраэлектроника

EPC8007ENGR, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 3.8A (Ta).
Параметры:
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs: -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 39pF @ 20V

EPC8007ENGR, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC8007ENGR

НаименованиеEPC8007ENGR
ПроизводительEfficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул1371551
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1278,13 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом