Терраэлектроника

EPC8005ENGR, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2.9A (Ta).
Параметры:
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.218nC @ 32.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 29pF @ 32.5V

EPC8005ENGR, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC8005ENGR

НаименованиеEPC8005ENGR
ПроизводительEfficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул1371550
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
2180,07 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом