Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

EPC8005ENGR, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2.9A (Ta).
Параметры:
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.218nC @ 32.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 29pF @ 32.5V

EPC8005ENGR, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC8005ENGR

Наименование EPC8005ENGR
Производитель Efficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул 1371550
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
2196,54 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом