Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

EPC8002ENGR, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2A (Ta).
Параметры:
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs: -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21pF @ 32.5V

EPC8002ENGR, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC8002ENGR

Наименование EPC8002ENGR
Производитель Efficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул 1371548
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
2176,03 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом