Терраэлектроника

EPC8002ENGR, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2A (Ta).
Параметры:
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs: -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21pF @ 32.5V

EPC8002ENGR, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC8002ENGR

НаименованиеEPC8002ENGR
ПроизводительEfficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул1371548
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
2203,24 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом