Терраэлектроника

EPC2016, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

EPC2016 - TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE

Технические характеристики:

  • FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
  • FET Feature Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 33A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 9mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs 10.5nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1100pF @ 20V
  • Power - Max -
  • Mounting Type Surface Mount
  • Package / Case Die Outline (11-Solder Bar)

Применение:

  • High Speed DC-DCconversion
  • Class D Audio
  • HardSwitched and High FrequencyCircuits

Отличительные особенности:

  • Ultra High Efficiency
  • UltraLow RDS(on)
  • Ultralow QG
  • Ultrasmall footprint

EPC2015 - TRANS GAN100V 11A


EPC2016, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC2016

НаименованиеEPC2016
ПроизводительEfficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул1371546

Аналоги EPC2016, доступные на складе

Средства разработки для EPC2016

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
313,00 руб
от 5 шт. 274,00 руб
от 13 шт. 235,00 руб
от 28 шт. 215,50 руб
Наличие на складе
23 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом