Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

EPC2016, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

EPC2016 - TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE

Технические характеристики:

  • FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
  • FET Feature Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 33A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 9mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs 10.5nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1100pF @ 20V
  • Power - Max -
  • Mounting Type Surface Mount
  • Package / Case Die Outline (11-Solder Bar)

Применение:

  • High Speed DC-DCconversion
  • Class D Audio
  • HardSwitched and High FrequencyCircuits

Отличительные особенности:

  • Ultra High Efficiency
  • UltraLow RDS(on)
  • Ultralow QG
  • Ultrasmall footprint

EPC2015 - TRANS GAN100V 11A


EPC2016, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC2016

Наименование EPC2016
Производитель Efficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул 1371546
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)

Аналоги EPC2016, доступные на складе

Средства разработки для EPC2016

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
324,00 руб
от 5 шт. 284,00 руб
от 13 шт. 243,00 руб
от 28 шт. 223,00 руб
Наличие на складе
10 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом