Терраэлектроника

EPC2015, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

EPC2015 - TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Технические характеристики:

  • FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
  • FET Feature Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 33A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 9mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs 10.5nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1100pF @ 20V
  • Power - Max -
  • Mounting Type Surface Mount
  • Package / Case Die Outline (11-Solder Bar)

Применение:

  • High Speed DC-DCconversion
  • Class D Audio
  • High Frequency Hard Switching and Soft Switching

Отличительные особенности:

  • Ultra High Efficiency
  • UltraLow RDS(on)
  • Ultralow QG
  • Ultrasmall footprint

EPC2015 - TRANS GAN 40V 32A


EPC2015, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC2015

НаименованиеEPC2015
ПроизводительEfficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул1371545

Аналоги EPC2015, доступные на складе

Сопутствующие товары для EPC2015

  • Изображение  EPC9001

    EPC9001
    EPC

    Склад (1-2 дн)

    Отладочная плата полумоста на основе eGaN FET транзисторов EPC2015

  • Изображение  EPC9016

    EPC9016
    EPC

    Склад (1-2 дн)

     Отладочная плата на основе 40 V EPC2015 eGaN FET транзисторов с индуцированным каналом с максимальным рабочим током 25 А

  • Изображение  EPC9201

    EPC9201
    EPC

    Склад (1-2 дн)

    Миниатюрная (11x12 мм) полумостовая сборка eGaN транзисторов 30 V, 40 A со всей необходимой обвязкой. КПД до 92%. Может использоваться как модуль в готовой продукции (понижающие DC/DC преобразователи) и в качестве референс-дизайна.

Средства разработки для EPC2015

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
710,00 руб
от 3 шт. 621,50 руб
от 6 шт. 532,50 руб
от 13 шт. 489,00 руб
Наличие на складе
17 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом