Терраэлектроника

EPC2012, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

EPC2012 - TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE

Технические характеристики:

  • FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
  • FET Feature Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs 1.5nC @ 100V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds 128pF @ 100V
  • Power - Max - Mounting
  • Type Surface Mount Package / Case Die

Применение:

  • High Speed DC-DC conversion
  • Class D Audio
  • Hard Switched and High FrequencyCircuits

Отличительные особенности:

  • Ultra High Efficiency
  • UltraLow RDS(on)
  • Ultralow QG
  • Ultrasmall footprint

EPC2012 - TRANS GAN 200V 3A


EPC2012, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC2012

НаименованиеEPC2012
ПроизводительEfficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул1371543

Аналоги EPC2012, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
253,00 руб
от 6 шт. 221,00 руб
от 16 шт. 190,00 руб
от 34 шт. 174,00 руб
Наличие на складе
5 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом