Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

EPC2012, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

EPC2012 - TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE

Технические характеристики:

  • FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
  • FET Feature Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs 1.5nC @ 100V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds 128pF @ 100V
  • Power - Max - Mounting
  • Type Surface Mount Package / Case Die

Применение:

  • High Speed DC-DC conversion
  • Class D Audio
  • Hard Switched and High FrequencyCircuits

Отличительные особенности:

  • Ultra High Efficiency
  • UltraLow RDS(on)
  • Ultralow QG
  • Ultrasmall footprint

EPC2012 - TRANS GAN 200V 3A


EPC2012, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC2012

Наименование EPC2012
Производитель Efficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул 1371543
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)

Аналоги EPC2012, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
263,00 руб
от 6 шт. 231,00 руб
от 16 шт. 198,00 руб
от 34 шт. 181,00 руб
Наличие на складе
5 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом