Терраэлектроника

EPC2010, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

EPC2010 - TRANS GAN 200V 25A BUMPED DIE

Технические характеристики:

  • FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
  • FET Feature Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 6A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs 5nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds 480pF @ 100V
  • Power - Max -
  • Mounting Type Surface Mount
  • Package / Case Die

Применение:

  • High Speed DC-DC Conversion
  • High Frequency Hard Switching and Soft Switching
  • Class D Audio

Отличительные особенности:

  • Higher Switching Frequency – lower switching losses and lower drive power
  • Higher Efficiency – lower conduction and switching losses, zero reverse recovery losses
  • Smaller Footprint - Higher power density

EPC2010 - TRANS GAN 200V 25A


EPC2010, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC2010

НаименованиеEPC2010
ПроизводительEfficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул1371542

Аналоги EPC2010, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
701,00 руб
Наличие на складе
40 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом