Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

EPC2010, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

EPC2010 - TRANS GAN 200V 25A BUMPED DIE

Технические характеристики:

  • FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
  • FET Feature Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 6A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs 5nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds 480pF @ 100V
  • Power - Max -
  • Mounting Type Surface Mount
  • Package / Case Die

Применение:

  • High Speed DC-DC Conversion
  • High Frequency Hard Switching and Soft Switching
  • Class D Audio

Отличительные особенности:

  • Higher Switching Frequency – lower switching losses and lower drive power
  • Higher Efficiency – lower conduction and switching losses, zero reverse recovery losses
  • Smaller Footprint - Higher power density

EPC2010 - TRANS GAN 200V 25A


EPC2010, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC2010

Наименование EPC2010
Производитель Efficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул 1371542
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)

Аналоги EPC2010, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
296,00 руб
Наличие на складе
26 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом