Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

EPC2007, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

EPC2007 - eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор

Технические характеристики:

  • FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
  • FET Feature Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss)100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 6A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1.2mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs2.1nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds205pF @ 50V
  • Mounting Type Surface Mount
  • Package/ CaseDie Outline (5-Solder Bar)

EPC2007 - eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор


EPC2007, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC2007

НаименованиеEPC2007
ПроизводительEfficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул1371541

Аналоги EPC2007, доступные на складе

Средства разработки для EPC2007

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
217,00 руб
от 7 шт. 190,00 руб
от 18 шт. 163,00 руб
от 40 шт. 150,00 руб
Наличие на складе
17 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом