Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

EPC2007, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

EPC2007 - eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор

Технические характеристики:

  • FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
  • FET Feature Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss)100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 6A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1.2mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs2.1nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds205pF @ 50V
  • Mounting Type Surface Mount
  • Package/ CaseDie Outline (5-Solder Bar)

EPC2007 - eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор


EPC2007, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC2007

Наименование EPC2007
Производитель Efficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул 1371541
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)

Аналоги EPC2007, доступные на складе

Средства разработки для EPC2007

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
220,00 руб
от 7 шт. 193,00 руб
от 19 шт. 165,00 руб
от 41 шт. 152,00 руб
Наличие на складе
17 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом