Терраэлектроника

EPC2001, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

EPC2001 - TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Технические характеристики:

  • Lead Free Status/RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant;
  • RoHS Information: Lead Free/RoHS Statement;
  • Серия: eGaN™;
  • FET Type: GaNFET N-Channel, Gallium Nitride;
  • FET Feature: Logic Level Gate;
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5 V;
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V;
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 °C: 25 A;
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5 V @ 5 mA;
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 5 V;
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50 V;
  • Тип монтажа: Поверхностный;
  • Корпус Die Outline (11-Solder Bar).

EPC2001 - TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE


EPC2001, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC2001

НаименованиеEPC2001
ПроизводительEfficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул1371540

Документация для EPC2001

Аналоги EPC2001, доступные на складе

Средства разработки для EPC2001

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
627,00 руб
от 3 шт. 549,00 руб
от 7 шт. 470,00 руб
от 14 шт. 432,00 руб
Наличие на складе
21 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом