Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

EPC2001, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

EPC2001 - TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Технические характеристики:

  • Lead Free Status/RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant;
  • RoHS Information: Lead Free/RoHS Statement;
  • Серия: eGaN™;
  • FET Type: GaNFET N-Channel, Gallium Nitride;
  • FET Feature: Logic Level Gate;
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5 V;
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V;
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 °C: 25 A;
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5 V @ 5 mA;
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 5 V;
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 850pF @ 50 V;
  • Тип монтажа: Поверхностный;
  • Корпус Die Outline (11-Solder Bar).

EPC2001 - TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE


EPC2001, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

Параметры EPC2001

Наименование EPC2001
Производитель Efficient Power Conversion (EPC) Corporation (EPC)
Артикул 1371540
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs

Аналоги EPC2001, доступные на складе

Средства разработки для EPC2001

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
487,00 руб
от 8 шт. 418,00 руб
от 16 шт. 384,00 руб
Наличие на складе
21 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом