Терраэлектроника

IPW65R080CFDFKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IPW65R080CFDFKSA1 - MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2.

Технические характеристики:

  • Manufacturer: Infineon
  • Product Category: MOSFET
  • RoHS: RoHS Compliant Details
  • Technology: Si
  • Mounting Style: Through Hole
  • Package/Case: TO-247-3
  • Number of Channels: 1 Channel
  • Transistor Polarity: N-Channel
  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
  • Id - Continuous Drain Current: 43.3 A
  • Rds On - Drain-Source Resistance: 72 mOhms
  • Vgs - Gate-Source Voltage: +/- 20 V
  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.5 V
  • Qg - Gate Charge: 167 nC
  • Maximum Operating Temperature: + 150 C
  • Packaging: Tube
  • Channel Mode: Enhancement
  • Brand: Infineon Technologies
  • Configuration: 1 N-Channel
  • Fall Time: 6 ns
  • Height: 21.1 mm
  • Length: 16.13 mm
  • Minimum Operating Temperature: - 55 C
  • Pd - Power Dissipation: 391 W
  • Rise Time: 18 ns
  • Series: XPW65R080
  • Factory Pack Quantity: 240
  • Tradename: CoolMOS
  • Transistor Type: 1 N-Channel
  • Typical Turn-Off Delay Time: 85 ns
  • Typical Turn-On Delay Time: 20 ns
  • Width: 5.21 mm
  • Unit Weight: 38 g

 

IPW65R080CFDFKSA1


IPW65R080CFDFKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IPW65R080CFDFKSA1

НаименованиеIPW65R080CFDFKSA1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул1371043
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IPW65R080CFDFKSA1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
549,00 руб
от 3 шт. 480,50 руб
от 8 шт. 412,00 руб
от 17 шт. 378,00 руб
Наличие на складе
12 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом