Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IPW65R080CFDFKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IPW65R080CFDFKSA1 - MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2.

Технические характеристики:

  • Manufacturer: Infineon
  • Product Category: MOSFET
  • RoHS: RoHS Compliant Details
  • Technology: Si
  • Mounting Style: Through Hole
  • Package/Case: TO-247-3
  • Number of Channels: 1 Channel
  • Transistor Polarity: N-Channel
  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
  • Id - Continuous Drain Current: 43.3 A
  • Rds On - Drain-Source Resistance: 72 mOhms
  • Vgs - Gate-Source Voltage: +/- 20 V
  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.5 V
  • Qg - Gate Charge: 167 nC
  • Maximum Operating Temperature: + 150 C
  • Packaging: Tube
  • Channel Mode: Enhancement
  • Brand: Infineon Technologies
  • Configuration: 1 N-Channel
  • Fall Time: 6 ns
  • Height: 21.1 mm
  • Length: 16.13 mm
  • Minimum Operating Temperature: - 55 C
  • Pd - Power Dissipation: 391 W
  • Rise Time: 18 ns
  • Series: XPW65R080
  • Factory Pack Quantity: 240
  • Tradename: CoolMOS
  • Transistor Type: 1 N-Channel
  • Typical Turn-Off Delay Time: 85 ns
  • Typical Turn-On Delay Time: 20 ns
  • Width: 5.21 mm
  • Unit Weight: 38 g

 

IPW65R080CFDFKSA1


IPW65R080CFDFKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IPW65R080CFDFKSA1

НаименованиеIPW65R080CFDFKSA1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул1371043
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги IPW65R080CFDFKSA1, доступные на складе

Средства разработки для IPW65R080CFDFKSA1

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
458,00 руб
от 3 шт. 401,00 руб
от 9 шт. 344,00 руб
от 19 шт. 315,00 руб
Наличие на складе
42 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом