Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IPW65R080CFDFKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

IPW65R080CFDFKSA1 - MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2.

Технические характеристики:

  • Manufacturer: Infineon
  • Product Category: MOSFET
  • RoHS: RoHS Compliant Details
  • Technology: Si
  • Mounting Style: Through Hole
  • Package/Case: TO-247-3
  • Number of Channels: 1 Channel
  • Transistor Polarity: N-Channel
  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
  • Id - Continuous Drain Current: 43.3 A
  • Rds On - Drain-Source Resistance: 72 mOhms
  • Vgs - Gate-Source Voltage: +/- 20 V
  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.5 V
  • Qg - Gate Charge: 167 nC
  • Maximum Operating Temperature: + 150 C
  • Packaging: Tube
  • Channel Mode: Enhancement
  • Brand: Infineon Technologies
  • Configuration: 1 N-Channel
  • Fall Time: 6 ns
  • Height: 21.1 mm
  • Length: 16.13 mm
  • Minimum Operating Temperature: - 55 C
  • Pd - Power Dissipation: 391 W
  • Rise Time: 18 ns
  • Series: XPW65R080
  • Factory Pack Quantity: 240
  • Tradename: CoolMOS
  • Transistor Type: 1 N-Channel
  • Typical Turn-Off Delay Time: 85 ns
  • Typical Turn-On Delay Time: 20 ns
  • Width: 5.21 mm
  • Unit Weight: 38 g

 

IPW65R080CFDFKSA1

Описание с сайта производителя

650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.

Возможности

  • 650V technology with integrated fast body diode
  • Limited voltage overshoot during hard commutation
  • Significant Q g reduction compared to 600V CFD technology
  • Tighter R DS(ON) max to R DS(on) typ window
  • Easy to design in
  • Lower price compared to 600V CFD technology

Преимущества

  • Low switching losses due to low Q rr at repetitive commutation on body diode
  • Self limiting di/dt and dv/dt
  • Low Q oss
  • Reduced turn on and turn of delay times
  • Outstanding CoolMOS™ quality

IPW65R080CFDFKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IPW65R080CFDFKSA1

Наименование IPW65R080CFDFKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 1371043
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

Документация для IPW65R080CFDFKSA1

Аналоги IPW65R080CFDFKSA1, доступные на складе

Средства разработки для IPW65R080CFDFKSA1

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
474,00 руб
от 3 шт. 415,00 руб
от 9 шт. 356,00 руб
от 19 шт. 326,00 руб
Наличие на складе
4 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом