Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC40F, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max49A
Voltage, Vce Sat Max1.8V
Power Dissipation160W
Case StyleTO-220
Current, Icm Pulsed200A
Pins, No. of3
Power, Pd160W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max170ns
Time, Rise18ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC40F, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC40F

Наименование IRG4BC40F
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 13639
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4BC40F, доступные на складе

  • Изображение  STGP30NC60S

    STGP30NC60S
    ST

    IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 30 А; Uкэ.нас: 1.4 В

  • Изображение  IRG4BC40FPBF

    IRG4BC40FPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:49A; Voltage, Vce Sat Max:1.8V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:200A; Pins, No.…

Изображения IRG4BC40F

IRG4BC40F, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC40F, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC40F, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
242,00 руб
от 6 шт. 212,00 руб
от 17 шт. 182,00 руб
от 37 шт. 167,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом