Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IXTQ50N25T, Ixys Corporation

IXTQ50N25T - МОП-транзистор 50Amps 250V.

Технические характеристики:

  • Полярность транзистора: N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток: 250 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток: 30 V
  • Id - непрерывный ток утечки: 50 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 60 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 5 V
  • Qg - заряд затвора: 78 nC
  • Максимальная рабочая температура: + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности: 400 W
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-3P-3
  • Канальный режим: Enhancement
  • Время спада: 25 ns
  • Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 35 S
  • Минимальная рабочая температура: - 55 C
  • Время нарастания: 25 ns
  • Типичное время задержки выключения: 47 ns

IXTQ50N25T - МОП-транзистор 50Amps 250V.


IXTQ50N25T, Ixys Corporation

Параметры IXTQ50N25T

НаименованиеIXTQ50N25T
ПроизводительIxys Corporation (IXYS)
Артикул1328930
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
325,00 руб
от 5 шт. 285,00 руб
от 12 шт. 244,00 руб
от 30 шт. 224,00 руб
Наличие на складе
126 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом