Терраэлектроника

BUL45D2G, On Semiconductor

RF Bipolar Transistor

Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo400V
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)22V
Power Dissipation, Pd75W
DC Current Gain Min (hfe)22
Package/Case3-TO-220


BUL45D2G, On Semiconductor

Параметры BUL45D2G

НаименованиеBUL45D2G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул13283
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов

Аналоги BUL45D2G, доступные на складе

Изображения BUL45D2G

BUL45D2G, On Semiconductor BUL45D2G, On Semiconductor BUL45D2G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
59,50 руб
от 25 шт. 52,00 руб
от 71 шт. 44,50 руб
от 150 шт. 41,00 руб
Наличие на складе
512 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом