Терраэлектроника

IRG4PC50W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max55A
Voltage, Vce Sat Max2.3V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed220A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall120ns
Time, Fall Max120ns
Time, Rise33ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4PC50W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PC50W

НаименованиеIRG4PC50W
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул13280
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4PC50W, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PC50WPBF

    IRG4PC50WPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 55A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:55A; Voltage, Vce Sat Max:2.3V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:220A; Device Marking:IRG4PC50WPBF; Pins, No.…

Изображения IRG4PC50W

IRG4PC50W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PC50W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
346,00 руб
от 4 шт. 303,00 руб
от 12 шт. 260,00 руб
от 25 шт. 238,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом