Терраэлектроника

IRG4PC30W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max23A
Voltage, Vce Sat Max2.7V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed92A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall67ns
Time, Fall Max67ns
Time, Rise16ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4PC30W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PC30W

НаименованиеIRG4PC30W
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул13279
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4PC30W, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PC30WPBF

    IRG4PC30WPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 23A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:23A; Voltage, Vce Sat Max:2.7V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:92A; Device Marking:IRG4PC30WPBF; Pins, No.…

Изображения IRG4PC30W

IRG4PC30W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PC30W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
165,50 руб
от 9 шт. 145,00 руб
от 25 шт. 124,00 руб
от 50 шт. 114,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом