Терраэлектроника

IRF730, ST Microelectronics

MOSFET; Drain Source Voltage, Vds:400V;; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:3.5A; Resistance, Rds On:1ohm; Case Style:TO-220 (SOT-78B); Capacitance, Ciss Typ:530pF; Case Style, Alternate:SOT-78B; Current, Idm Pulse:22A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:300mJ; Pin Configuration:a; Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:75W; Power, Pd:100W; Power, Ptot:100W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:1ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Time, trr Typ:280ns; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:400V; Voltage, Vgs th Max:4V; Voltage, Vgs th Min:2V


IRF730, ST Microelectronics

Параметры IRF730

НаименованиеIRF730
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул13148

Аналоги IRF730, доступные на складе

Изображения IRF730

IRF730, ST Microelectronics IRF730, ST Microelectronics IRF730, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом