Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF730, STMicroelectronics

OBS Позиция снята с производства

MOSFET; Drain Source Voltage, Vds:400V;; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:3.5A; Resistance, Rds On:1ohm; Case Style:TO-220 (SOT-78B); Capacitance, Ciss Typ:530pF; Case Style, Alternate:SOT-78B; Current, Idm Pulse:22A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:300mJ; Pin Configuration:a; Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:75W; Power, Pd:100W; Power, Ptot:100W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:1ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Time, trr Typ:280ns; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:400V; Voltage, Vgs th Max:4V; Voltage, Vgs th Min:2V


IRF730, STMicroelectronics

Параметры IRF730

Наименование IRF730
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 13148
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Аналоги IRF730, доступные на складе

Изображения IRF730

IRF730, STMicroelectronics IRF730, STMicroelectronics IRF730, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом