Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF730, STMicroelectronics

OBS Позиция снята с производства

MOSFET; Drain Source Voltage, Vds:400V;; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:3.5A; Resistance, Rds On:1ohm; Case Style:TO-220 (SOT-78B); Capacitance, Ciss Typ:530pF; Case Style, Alternate:SOT-78B; Current, Idm Pulse:22A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:300mJ; Pin Configuration:a; Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:75W; Power, Pd:100W; Power, Ptot:100W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:1ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Time, trr Typ:280ns; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:400V; Voltage, Vgs th Max:4V; Voltage, Vgs th Min:2V


IRF730, STMicroelectronics

Параметры IRF730

Наименование IRF730
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 13148
Корпус
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF730, доступные на складе

Изображения IRF730

IRF730, STMicroelectronics IRF730, STMicroelectronics IRF730, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом