Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PC50F, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max70A
Voltage, Vce Sat Max1.7V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed280A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max130ns
Time, Rise25ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4PC50F, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PC50F

Наименование IRG4PC50F
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 13045
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C

Аналоги IRG4PC50F, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PC50FPBF

    IRG4PC50FPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:70A; Voltage, Vce Sat Max:1.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:280A; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4PC50F-EPBF

    IRG4PC50F-EPBF
    INFIN

    Discrete IGBT without Anti-Parallel Diode,

Изображения IRG4PC50F

IRG4PC50F, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PC50F, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
344,00 руб
от 10 шт. 295,00 руб
от 22 шт. 271,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом