Терраэлектроника

IRFB7530PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

60V StrongIRFET 195A 1.65/2.0mOhm 274nC

IRFB7530PBF

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • RoHS Compliant
  • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
  • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
  • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

IRFB7530PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB7530PBF

НаименованиеIRFB7530PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул1293626
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFB7530PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB7545PBF

    IRFB7545PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessFully Char…

  • Изображение  IRFB7537PBF

    IRFB7537PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessFully Char…

  • Изображение  IRFB7534PBF

    IRFB7534PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    StrongIRFET 60V

  • Изображение  IRFB7540PBF

    IRFB7540PBF
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessFully Char…

  • Изображение  IRFB7546PBF

    IRFB7546PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RuggednessFully Char…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
88,00 руб
Наличие на складе
344 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом