Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SKM150GB123D, Semikron Inc.

OBS Позиция снята с производства

IGBT: 1200 В, 150 А, Модуль, полумост


SKM150GB123D, Semikron Inc.

Параметры SKM150GB123D

Наименование SKM150GB123D
Производитель Semikron Inc. (SMK)
Артикул 129089
Количество ключей
Ток
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Корпус
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)

Аналоги SKM150GB123D, доступные на складе

  • Изображение  BSM100GB120DN2

    BSM100GB120DN2
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

  • Изображение  SKM150GB128D

    SKM150GB128D
    SMK

    IGBT MODULE, 2X1200V; Transistor Type:IGBT Dual SPT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:200A; Voltage, Vce Sat Max:2.35V; Case Style:SEMITRANS 2; Centres, Fixing:80mm; Current, Ic Continuous b Max:140A; Current, Ic av:200A; Depth, External:30.5mm; Length / Height, External:26mm; Temperature, Current:25°C; Time, Fall:65ns; Time, Rise:40ns; Transistors, No.…

  • Изображение  SKM200GB12T4

    SKM200GB12T4
    SMK

    Склад (1-2 дн)

    IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 313A

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
7570,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом