Терраэлектроника

IRG4BC30UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT-транзистор+диод. 600V. 23A


IRG4BC30UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC30UD

НаименованиеIRG4BC30UD
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул12888
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4BC30UD, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC30UDPBF

    IRG4BC30UDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 23A, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:23A; Voltage, Vce Sat Max:2.5V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:92A; Device Marking:IRG4BC30UDPBF; Pins, No.…

  • Изображение  STGP7NC60HD

    STGP7NC60HD
    ST

    IGBT транзистор - Примечание: IGBT, 600V, 7A, TO-220

Изображения IRG4BC30UD

IRG4BC30UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC30UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC30UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
197,00 руб
от 7 шт. 172,00 руб
от 20 шт. 148,00 руб
от 44 шт. 136,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом