Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

FDS6679, Fairchild Semiconductor Corp.

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET, P

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont13A
Resistance, Rds On7.3mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-1.6V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD


FDS6679, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры FDS6679

Наименование FDS6679
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 127822
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Кол-во выводов
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Аналоги FDS6679, доступные на складе

  • Изображение  IRF9321PBF

    IRF9321PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    20V-100V N-Channel Small PowIR MOSFETs, ПреимуществаRoHS CompliantP-Channel MOSFET

  • Изображение  IRF9321TRPBF

    IRF9321TRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    20V-100V N-Channel Small PowIR MOSFETs, ПреимуществаRoHS CompliantP-Channel MOSFET

Изображения FDS6679

FDS6679, Fairchild Semiconductor Corp. FDS6679, Fairchild Semiconductor Corp.
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом