Терраэлектроника

SI2333DDS-T1-GE3, Vishay Intertechnology Inc.

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET


Параметры SI2333DDS-T1-GE3

НаименованиеSI2333DDS-T1-GE3
ПроизводительVishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул1270267
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги SI2333DDS-T1-GE3, доступные на складе

  • Изображение  SI2333DS-T1-E3

    SI2333DS-T1-E3
    VISHAY

    MOSFET, P, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-12V; Current, Id Cont:-5.3A; Resistance, Rds On:0.032ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-1V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом