Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SI2333DDS-T1-GE3, Vishay Intertechnology Inc.

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET


Параметры SI2333DDS-T1-GE3

Наименование SI2333DDS-T1-GE3
Производитель Vishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул 1270267
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

Аналоги SI2333DDS-T1-GE3, доступные на складе

  • Изображение  SI2333DS-T1-E3

    SI2333DS-T1-E3
    VISHAY

    MOSFET, P, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-12V; Current, Id Cont:-5.3A; Resistance, Rds On:0.032ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-1V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом