Терраэлектроника

BSP317PH6327, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

BSP317PH6327 - Транзистор 0.43 A, 250 V, 4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET.

Отличительные характеристики:

  • Mfr Package Description: GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
  • Lead Free: Yes
  • RoHS Compliant: Yes
  • Compliant: Yes
  • Status: ACTIVE
  • Package Shape: RECTANGULAR
  • Package Style: SMALL OUTLINE
  • Surface Mount: Yes
  • Terminal Form: GULL WING
  • Terminal Finish: MATTE TIN
  • Terminal Position: DUAL
  • Number of Terminals: 4
  • Package Body Material: PLASTIC/EPOXY
  • Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Case Connection: DRAIN
  • Number of Elements: 1
  • Transistor Element Material: SILICON
  • Power Dissipation Ambient-Max: 1.8 W
  • Channel Type: P-CHANNEL
  • FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Operating Mode: ENHANCEMENT
  • Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER
  • Drain Current-Max (ID): 0.4300 A
  • DS Breakdown Voltage-Min: 250 V
  • Drain-source On Resistance-Max: 4 ohm
  • Pulsed Drain Current-Max (IDM): 1.72 A

Параметры BSP317PH6327

НаименованиеBSP317PH6327
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул1266145
Корпус

Аналоги BSP317PH6327, доступные на складе

  • Изображение  BSP317PH6327XTSA1

    BSP317PH6327XTSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    20V-250V P-Channel Power MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
35,00 руб
от 39 шт. 30,60 руб
от 112 шт. 26,30 руб
от 244 шт. 24,10 руб
Наличие на складе
316 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом