Терраэлектроника

IRG4PH50UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max45A
Voltage, Vce Sat Max3.7V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed180A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max260ns
Time, Rise24ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH50UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH50UD

НаименованиеIRG4PH50UD
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул12587

Аналоги IRG4PH50UD, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PH50UDPBF

    IRG4PH50UDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:45A; Voltage, Vce Sat Max:3.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:180A; Pins, No.…

Изображения IRG4PH50UD

IRG4PH50UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH50UD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
630,00 руб
от 3 шт. 551,50 руб
от 7 шт. 472,50 руб
от 15 шт. 434,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом