Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFR120N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont9.1A
Resistance, Rds On0.21ohm
Case StyleTO-252 (D-Pak)
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse38A
Depth, External10.5mm
Length / Height, External2.55mm
Marking, SMDIRFR120N
Power Dissipation39W
Power, Pd39W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V
Width, External6.8mm


IRFR120N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFR120N

Наименование IRFR120N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 12583
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

Аналоги IRFR120N, доступные на складе

  • Изображение  IRFR120NTR

    IRFR120NTR
    INFIN

    MOSFET: N, 100 В, Q1: N, 210mΩ / 10V, 9.1 А

  • Изображение  IRFR120NTRPBF

    IRFR120NTRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:9.4A; On Resistance, Rds(on):210mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK

  • Изображение  IRFR120NPBF

    IRFR120NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, 9.1A, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:9.1A; Resistance, Rds On:0.21ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D-PAK; Current, Idm Pulse:38A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:IRFR120N; Power Dissipation:39W; Power, Pd:39W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:3.2°C/W; Transistors, No.…

  • Изображение  IRFR120NTRLPBF

    IRFR120NTRLPBF
    INFIN

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:9.4A; On Resistance, Rds(on):210mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK

  • Изображение  IRFR120N [7221]

    IRFR120N [7221]
    INFIN

    Полевой транзистор. 100V. 9.1A.

  • Изображение  IRFR120ZPBF

    IRFR120ZPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:8.7A; Resistance, Rds On:0.19ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Base Number:120; Current, Idm Pulse:35A; Pins, No.…

Показать все сопутствующие товары

Изображения IRFR120N

IRFR120N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR120N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR120N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
26,90 руб
от 150 шт. 23,10 руб
от 300 шт. 21,20 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом