Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

2N2369A, Samsung Electronics

TRANSISTOR, NPN, TO-18

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo15V
Current, Ic Continuous a Max0.2A
Voltage, Vce Sat Max0.2V
Power Dissipation360mW
Hfe, Min40
ft, Typ500MHz
Case StyleTO-18
Termination TypeThrough Hole
Current, Ic @ Vce Sat10mA
Current, Ic Fall Time Measurement10mA
Current, Ic Max0.2A
Current, Ic hFE10mA
Pin Configurationa
Pins, No. of3
Power, Ptot360mW
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall @ Ic18ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo40V
ft, Min500MHz


2N2369A, Samsung Electronics

Параметры 2N2369A

Наименование 2N2369A
Производитель Samsung Electronics (SAM)
Артикул 12539
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Transition Frequency ft

Изображения 2N2369A

2N2369A, Samsung Electronics 2N2369A, Samsung Electronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом