Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

2N2369A, Samsung Electronics

TRANSISTOR, NPN, TO-18

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo15V
Current, Ic Continuous a Max0.2A
Voltage, Vce Sat Max0.2V
Power Dissipation360mW
Hfe, Min40
ft, Typ500MHz
Case StyleTO-18
Termination TypeThrough Hole
Current, Ic @ Vce Sat10mA
Current, Ic Fall Time Measurement10mA
Current, Ic Max0.2A
Current, Ic hFE10mA
Pin Configurationa
Pins, No. of3
Power, Ptot360mW
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall @ Ic18ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo40V
ft, Min500MHz


2N2369A, Samsung Electronics

Параметры 2N2369A

Наименование2N2369A
ПроизводительSamsung Electronics (SAM)
Артикул12539
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Изображения 2N2369A

2N2369A, Samsung Electronics 2N2369A, Samsung Electronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом